施工中🚧
MOS管(MOSFET)
- $V_{DS}$：漏极D与源极S之间所能施加的最大电压值
- $V_{GS(th)}$：MOS的开启电压(阀值电压)
- 对于NMOS，当栅极G和源极S之间的电压$V_{GS}$大于$V_{GS(th)}$时，NMOS导通
- 对于PMOS，当栅极G和源极S之间的电压$V_{GS}$小于$V_{GS(th)}$时，PMOS导通
- $R_{DS(ON)}$：MOS导通电阻，决定了MOS功耗
- 备注：
- PMOS和NMOS作为开关的区别：
- PMOS相当于常闭合的开关，栅极加电压使开关断开
- NMOS相当于常断开的开关，栅极加电压使开关闭合
- PMOS和NMOS作为开关的区别：
肖特基二极管(SBD)
- $V_F$：二极管正向导通时二极管两端的压降
- $V_{RRM}$：最大反向峰值电压
- $V_{DC}$：最大直流反向电压
- 备注
- 如何区分正负极：有明显标识（如多条横杠）的一边是负极，没有任何识别丝印一边的则是正极
- 如何判断好坏：万用表拨至二极管测试档，测量正向压降值较小，反向测量时显示OL（表示截止），则为好的
- 和普通二极管区别：肖特基二极管的优势在于低正向压降和快速开关速度，适合高频和低电压应用；但其 反向漏电流较大和耐压能力较低是其主要缺点。
TVS管
- $V_{RWM}$：截止电压，TVS二极管的最高工作电压，大于截止电压后，TVS罢工
- $V_C$：钳位电压，施加峰值脉冲电流为$I_{PP}$时，TVS二极管两端测得的峰值电压，衡量限制电压的能力
低压差线性稳压器 (LDO)
- Dropout Voltage：VIN与VOUT的最小电压差
- Output Noise：VIN上无纹波，给定范围内（10Hz~100KHz），VOUT上的噪声电压RMS
- PSRR(纹波抑制比)：衡量一个电路在各种频率下对输入电源注入纹波的抑制能力，表示为输出噪声与电源输入噪声的比值。所以注意PSRR可抑制来自LDO外部的噪声，但LDO内部始终会产生噪声。因此，具有高PSRR的LDO可能并不意味着能很好地抑制内部噪声。
参考
本文采用知识共享署名4.0国际许可协议(CC BY 4.0)进行许可